従事いただく職務内容
【組織ミッション】
SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。
【業務内容】
パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発
具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。
・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計
・単結晶製造設備制御技術開発
・ウェハ製造のための、生産技術開発
・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計
・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理
・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝
・開発技術の権利化
【業務のやりがい・魅力】
✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます
✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます
✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます
✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます
✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます
職場情報
【採用背景】
カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。
市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。
【組織構成】
20代～50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。
応募資格
＜MUST要件＞
・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ
以下いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方
・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方
・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方
・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方
・半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計を3年以上お持ちの方
＜WANT要件＞
下記のいずれかの知識・経験を有している方
・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験
・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識
・パワー半導体材料、単結晶に関する知識
・技術開発における推進リーダ経験
・海外企業との折衝経験
・語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上）
補足情報
【開発ツール】
・Star-CCM(流体解析)
・ANSYS(応力設計）
【関連キーワード】
・結晶成長
・ウェハ製造
・半導体設備
・半導体製造
・パワー半導体
・SiC
・CVD、気相成長
・無機材料
・単結晶
待遇
想定年収：650万円～1,430万円
※給与は経験・能力を考慮の上決定します。
その他については募集要項をご確認ください。