募集背景
パワエレ第2開発部では、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。
業務内容
パワーデバイス材料研究、デバイス開発
・SiCウェハガス成長法の研究開発
・SiCエピタキシャル成長の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
応募資格
＜MUST要件＞
・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）
・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること
＜WANT要件＞
・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験
・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）
・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）
待遇
※株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズ（https://www.mirise-techs.com/）に出向いただきます。
応募者個人情報の第三者提供
⇒有
提供目的
⇒当該求人募集は、出向先企業と協力をして実施しておりますので、採用活動実施のために下記提供先に個人情報を提供させていただくことに同意の上、ご応募ください。
提供先
⇒株式会社ミライズ テクノロジーズ
募集要項をご確認ください。
募集職種リンクはこちら
技術系としての採用となります。
※将来的に、業務上の都合による転勤や駐在等の可能性があります。