職場情報
【採用背景】
カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。
市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。
【組織構成】
20代~50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。
応募資格
<MUST要件>
・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ
以下いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方
・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方
・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方
・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方
・半導体装置(結晶成長、加工、エピ)開発、設計を3年以上お持ちの方
<WANT要件>
下記のいずれかの知識・経験を有している方
・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験
・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識
・パワー半導体材料、単結晶に関する知識
・技術開発における推進リーダ経験
・海外企業との折衝経験
・語学力(英語):海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル(TOEIC610点以上)
補足情報
【開発ツール】
・Star-CCM(流体解析)
・ANSYS(応力設計)
【関連キーワード】
・結晶成長
・ウェハ製造
・半導体設備
・半導体製造
・パワー半導体
・SiC
・CVD、気相成長
・無機材料
・単結晶
待遇
募集要項をご確認ください。
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総合職※(技術系)としての採用となります。
※将来的に、業務上の都合による転勤や駐在等の可能性があります。