業務内容
SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発。
・パワーデバイスの企画、技術動向調査
・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計
・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発
・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計
・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析
・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発
・パワーデバイス用加工装置の導入および改造
業務のやりがい・身につくスキル
・SiC、GaNパワー半導体に関する世界トップレベルのデバイス・プロセス技術が身につきます。
・CAE／CAD設計から試作・評価・解析までを一貫して経験でき、実践力を養うことができます。
・自分たちで考えたデバイスを設計でき、専用の開発試作ラインでプロセス開発に思う存分チャレンジでき、試作品の評価解析まで一連の開発サイクルを回しながら研究開発を行えます。
・社内外の専門家、大学、研究機関との連携/協働を通じ、専門性の深化、先端研究の実施と技術領域の拡張が可能になります。
・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署、車両メーカと連携しながら広い視野で開発を進める事ができます。
・地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献でき、やりがいを感じられます。
募集背景
地球環境問題は重要な課題のため、モビリティの電動化は世界的に加速しており、その性能・競争力を左右する中核技術がパワー半導体です。特にSiC・GaNパワー半導体は、電費向上や小型・高効率化を実現するキーデバイスとして、開発スピードと技術完成度の競争が激化しています。当部では、低損失・高信頼性・量産性を両立したSiC・GaNパワー半導体の実現を目指し、デバイス設計からプロセス、評価解析まで一貫した研究開発を推進しています。こうした環境下で、従来手法にとらわれず、技術課題の本質を捉えた打ち手を自ら設計できる専門人材の重要性が高まっています。本ポジションでは、パワー半導体またはプロセス開発の実務経験を有するキャリア人材を迎え、開発テーマの中核を担っていただきます。これまでの専門知見や他社での経験を活かし、開発を前に進める牽引役としての活躍を期待しています。SiC・GaNデバイス開発を通じ、世界の電動化をリードする仲間を求めています。
職場情報
当部署は、電動車の商品力を左右する中核コンポーネントであるSiC・GaNパワー半導体について、デバイスの企画・設計からプロセス加工技術開発までを一貫して担っています。低損失・高品質を兼ね備えたパワー半導体を、他社に先駆けて実用化することをミッションに研究開発を推進しています。電動化とパワー半導体は今後も成長が見込まれる分野であり、電動車の進化を支えるキーデバイスを開発する当部署には、社内外から大きな期待が寄せられており、競争が激化する環境の中で、デバイス構造やプロセス技術を磨き上げ、世界で通用する技術の創出を目指しています。
また、年齢や役職にとらわれず、一人ひとりの意見や専門性を尊重しながら議論できる、相談しやすい風土があります。個々の強みを活かし、チームとして成果を最大化しながら、次世代の電動化を支える技術開発に挑戦できる職場です。
◎キャリア入社比率：約30％
自動車やパワー半導体業界だけでなく、民生半導体メーカーや産業機器メーカーからの入社者も多く在籍しています。
半導体分野の方は親和性が高いのはもちろんのこと、非自動車分野の考え方や業務プロセスを取り入れていく必要があるため、旧職の知見や経験を活用して活躍されています。
◎在宅勤務：週１～2回程度
キャリア入社者の声
★32歳（社会人経験9年目）中途入社（前職：半導体メーカー）
前職と同じく半導体開発に携わっていますが、事業領域が非常に多岐にわたっているため、前職のような半導体専業メーカーでは触れることのない技術領域にも触れることができ、良い刺激を受けています。
また新しい技術に対して積極的な人が多く、新たな取り組みの提案等も受け入れてもらいやすいことから、楽しんで仕事に取り組めています。
★31歳（社会人経験7年目）中途入社（前職：部品メーカー）
自ら課題を見つけ、提案しながら進められる開発環境と、多様な技術テーマに挑戦できる点に魅力を感じて入社しました。
実験データの解析やメカニズム提案といった論理的なアプローチが積極的に受け入れられ、自分の専門性を活かして貢献できる場面が多く、日々やりがいを感じています。
応募資格
<MUST要件>
・半導体に関する知識を有すること
・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（研究開発、量産経験は問いません）
<WANT要件>
・パワー半導体に関する知識を有すること
・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上）
・半導体加工設備の導入および改造経験
・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者
待遇
想定年収：550万円～1,100万円
※給与は経験・能力を考慮の上決定します。
その他については募集要項をご確認ください。
※当ポジションでは、株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズテクノロジーズに出向いただきます。
・応募者個人情報の第三者提供⇒有
・提供目的⇒当該求人募集は、出向先企業と協力をして実施しておりますので、採用活動実施のために下記提供先に個人情報を提供させていただくことに同意の上、ご応募ください。
・提供先⇒株式会社ミライズテクノロジーズ